1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2012
  6. Т. 13, № 4
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/15398
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorБрус, Віктор Васильович-
dc.contributor.authorКовалюк, Захар Дмитрович-
dc.contributor.authorМар’янчук, Павло Дмитрович-
dc.date.accessioned2023-02-27T10:30:23Z-
dc.date.available2023-02-27T10:30:23Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationБрус В. В. Електричні та фотоелектричні властивості напівпровідникової гетероструктури n-TiO2/p-GaSe / В. В. Брус, З. Д. Ковалюк, П. Д. Мар’янчук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 4. - С. 1047-1051.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/15398-
dc.description.abstractДосліджено електричні та фотоелектричні властивості гетероструктури n-ТіО2/p-GaSe виготовленої нанесенням тонкої плівки діоксиду титану методом реактивного магнетронного випаровування при постійній напрузі на свіжо сколоту поверхню монокристалічної підкладки шаруватого напівпровідника GaSe. Встановлено домінуючі механізми струмопереносу через досліджуваний гетероперехід при прямому та зворотному зміщеннях.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectТіО2uk_UA
dc.subjectGaSeuk_UA
dc.subjectтонка плівкаuk_UA
dc.subjectгетероструктураuk_UA
dc.titleЕлектричні та фотоелектричні властивості напівпровідникової гетероструктури n-TiO2/p-GaSeuk_UA
dc.title.alternativeElectrical and Photoelectrical Properties of a Semiconductor Heterostructure N-Tio2/P-Gaseuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:Т. 13, № 4

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
1304-36.pdf161.69 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.