Особливості структурних, електрокінетичних, енергетичних та магнітних властивостей напівпровідникового твердого розчину Lu1-xVxNiSb

Abstract

Досліджено структурні, електрокінетичні, енергетичні та магнітні властивості нового напівпровідникового твердого розчину Lu1-xVxNiSb, х=0–0.10. Показано, що атоми V можуть одночасно у різних співвідношеннях займати різні кристалографічні позиції, генеруючи структурні дефекти акцепторної та донорної природи. Це породжує у забороненій зоні εg Lu1-xVxNiSb відповідні акцепторні та донорні зони. Встановлено механізм формування двох акцепторних зон з різною глибиною залягання: дрібна акцепторна зона εА2, утворена дефектами при заміщенні у позиції 4с атомів Ni на V, та зона εА1, породжена вакансіями у структурі LuNiSb. Співвідношення концентрацій генерованих дефектів визначає положення рівня Фермі εF та механізми провідності. Досліджений твердий розчин Lu1-xVxNiSb є перспективним термоелектричним матеріалом.