Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/1660
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorІванишин, Ірина Мирославівна-
dc.contributor.authorIvanyshyn, Iryna-
dc.date.accessioned2020-03-21T21:05:14Z-
dc.date.available2020-03-21T21:05:14Z-
dc.date.issued2002-
dc.identifier.citationІванишин І.М. Механізми утворення твердих розчинів SnTe-GaTe і SnTe-Ga2Te3 та їх дефектна підсистема // Фізика і хімія твердого тіла. 2002. Т.3, №3. С. 549–556.uk_UA
dc.identifier.otherhttp://page.if.ua/uploads/pcss/vol3/0303-30.pdf-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/1660-
dc.description.abstractМетодами кристалоквазіхімії зроблено аналіз механізмів утворення твердих розчинів квазібінарних систем SnTe-GaTe і SnTe-Ga2Te3 на основі кристалічної структури телуриду олова. Показано, що при легуванні SnTe сполукою GaTe реалізуються одночасно як механізми вкоріненя галію у тетраедричні порожнини (на початкових стадіях з утворенням структури цинкової обманки), так і заміщення галієм атомів олова. У системі SnTe-Ga2Te3 утворення твердого розчину відбувається за механізмом вкорінення з утворенням комплексів Ga2Te3.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherПрикарпатський національний університет імені Василя Стефаникаuk_UA
dc.subjectтелурид оловаuk_UA
dc.subjectтелурид галіюuk_UA
dc.subjectдефектиuk_UA
dc.subjectоктаедричні і тетраедричні порожниниuk_UA
dc.titleМеханізми утворення твердих розчинів SnTe-GaTe і SnTe-Ga2Te3 та їх дефектна підсистемаuk_UA
dc.title.alternativeMechanisms of SnTe-GaTe and SnTe-Ga2Te3 solid solution formation, its defects subsysteuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:Статті та тези (ФФВС)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
ФХТТ_2002_2.pdf357.62 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.