Розсіювання низькоенергетичних іонів Ne+ зі ступінчастої поверхні InGaP(001)<110> при малих кутах падіння

Abstract

Методами комп’ютерного моделювання розглянуто розсіювання іонів Ne+ під малими кутами падіння від ступінчастої поверхні InGaP(001) <110> на E0 = 5 кеВ. Досліджено траєкторії деканалованих іонів з поверхні дефекту, а також їх енергію при розсіянні та від кута розсіяння. Показано, що перед деканалуванням зростає частота й амплітуда траєкторії іонів, які переміщують поверхневий канал, утворений східчастим атомом. Отримано енергетичні розподіли цих іонів і визначено частину спектра, що відповідає цим іонам. Встановлено, що енергетичні деканаловані іони формують піки низької інтенсивності в низькоенергетичній частині спектра.