Фазові рівноваги в системах HgS–Ga2S3–Bi(Sb)2S3

Abstract

Фазові рівноваги в квазіпотрійних системах HgS–Ga2S3–Bi(Sb)2S3 були досліджені із використанням фізико-хімічних методів аналізу 177 сплавів, які були синтезовані одно температурним методом. У роботі представлено фазові рівноваги квазібінарних систем HgS–Bi2S3 і Ga2S3–Bi2S3, шести перерізів (HgGa2S4–HgBi2S4, HgGa2S4–Bi2S3, HgGa6S10–Bi2S3, HgGa6S10–HgBi2S4, HgGa2S4–Sb2S3, and HgS–“GaSbS3”) і поверхня ліквідусу досліджених систем. Встановлено, що в системах існує велика область первинної кристалізації тіогалату, зокрема на перерізах HgGa2S4–Bi2S3 і HgGa2S4–HgBi2S4, і низька температура плавлення (950-1050 K). Тому, як зручний метод вирощування монокристалів тіогалату пропонуємо використовувати розчин-розплавний метод.