Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/1831
Повний запис метаданих
Поле DC | Значення | Мова |
---|---|---|
dc.contributor.author | Новосядлий, Степан Петрович | - |
dc.contributor.author | Котик, Михайло Васильович | - |
dc.contributor.author | Дзундза, Богдан Степанович | - |
dc.contributor.author | Грига, Володимир Михайлович | - |
dc.contributor.author | Новосядлий, Святослав Володимирович | - |
dc.contributor.author | Мандзюк, Володимир Ігорович | - |
dc.date.accessioned | 2020-03-23T13:41:21Z | - |
dc.date.available | 2020-03-23T13:41:21Z | - |
dc.date.issued | 2017 | - |
dc.identifier.citation | S. Novosyadlyj, M. Kotyk, B. Dzundza, V. Gryga, S. Novosyadlyj, V. Mandzyuk. Formation of carbon films as the subgate dielectric of GaAs microcircuits on Si-substrates // Eastern-European Journal of Enterprise Technologies. 2017. V. 5, N. 5(89). P. 26-34. | uk_UA |
dc.identifier.issn | 1729-3774 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/1831 | - |
dc.description.abstract | Розглянуто технологічні аспекти формування тонких карбонових плівок α-С:Н, особливості іонно-плазмових спектрів Q-DLТS гетероструктур α-C:H-Si та α-C:H-GaAs і визначені енергія активації, переріз захоплення і густина глибоких пасток, відповідальних за зарядовий стан. Встановлена кореляція між технологічними режимами формування плівок α-C:H і густиною пасток. Визначені технологічні методи і режими, які дозволяють отримувати структури з відносно невеликою густиною поверхневих станів (NПС)≤1012 см-2, що дає можливість використання цих структур в ролі підзатворного діелектрика в GaAs-КМОН структурних ВІС. | uk_UA |
dc.language.iso | en | uk_UA |
dc.publisher | НПП ЧП «Технологічний Центр» | uk_UA |
dc.relation.ispartofseries | V. 5, N. 5(89); | - |
dc.subject | комплементарні структури | uk_UA |
dc.subject | гетероструктури | uk_UA |
dc.subject | епітаксія | uk_UA |
dc.subject | інтегральні схеми | uk_UA |
dc.subject | технологічні особливості | uk_UA |
dc.subject | карбонові плівки | uk_UA |
dc.title | Formation of carbon films as the subgate dielectric of GaAs microcircuits on Si-substrates | uk_UA |
dc.title.alternative | Формування вуглецевих плівок як підзатворного діелектрика GaAs мікросхем на Si-підкладках | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Розташовується у зібраннях: | Статті та тези (ФТФ) |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
112289-241139-1-PB.pdf | 827.29 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.