Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/1831
Назва: | Formation of carbon films as the subgate dielectric of GaAs microcircuits on Si-substrates |
Інші назви: | Формування вуглецевих плівок як підзатворного діелектрика GaAs мікросхем на Si-підкладках |
Автори: | Новосядлий, Степан Петрович Котик, Михайло Васильович Дзундза, Богдан Степанович Грига, Володимир Михайлович Новосядлий, Святослав Володимирович Мандзюк, Володимир Ігорович |
Ключові слова: | комплементарні структури гетероструктури епітаксія інтегральні схеми технологічні особливості карбонові плівки |
Дата публікації: | 2017 |
Видавництво: | НПП ЧП «Технологічний Центр» |
Бібліографічний опис: | S. Novosyadlyj, M. Kotyk, B. Dzundza, V. Gryga, S. Novosyadlyj, V. Mandzyuk. Formation of carbon films as the subgate dielectric of GaAs microcircuits on Si-substrates // Eastern-European Journal of Enterprise Technologies. 2017. V. 5, N. 5(89). P. 26-34. |
Серія/номер: | V. 5, N. 5(89); |
Короткий огляд (реферат): | Розглянуто технологічні аспекти формування тонких карбонових плівок α-С:Н, особливості іонно-плазмових спектрів Q-DLТS гетероструктур α-C:H-Si та α-C:H-GaAs і визначені енергія активації, переріз захоплення і густина глибоких пасток, відповідальних за зарядовий стан. Встановлена кореляція між технологічними режимами формування плівок α-C:H і густиною пасток. Визначені технологічні методи і режими, які дозволяють отримувати структури з відносно невеликою густиною поверхневих станів (NПС)≤1012 см-2, що дає можливість використання цих структур в ролі підзатворного діелектрика в GaAs-КМОН структурних ВІС. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/1831 |
ISSN: | 1729-3774 |
Розташовується у зібраннях: | Статті та тези (ФТФ) |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
112289-241139-1-PB.pdf | 827.29 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.