Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/18777
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКукурудзяк, М. С.-
dc.date.accessioned2024-02-12T07:29:32Z-
dc.date.available2024-02-12T07:29:32Z-
dc.date.issued2023-
dc.identifier.citationКукурудзяк М. С. Вплив структури охоронних кілець на темнові струми кремнієвих p-i-n фотодіодів / М. С. Кукурудзяк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2023. - Т. 24. - № 4. - С. 603-609.uk_UA
dc.identifier.other10.15330/pcss.24.4.603-609-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/18777-
dc.description.abstractУ статті досліджено вплив структури системи охоронних кілець (ОК) на темнові струми чутливих елементів (ФЧЕ) та власне охоронних кілець кремнієвих 4-елементних p-i-n фотодіодів (ФД). Зразки виготовлені на основі p-кремнію за планарною технологією. Виготовлено зразки з одним, двома та трьома ОК. Було встановлено, що збільшення кількості n+-ОК не зменшує темновий струм ФЧЕ. Але зі збільшенням кількості n+-ОК збільшується ймовірність крайового пробою n+-p-переходу в областях виходу гетеропереходу ОК на поверхню. Зменшити рівні темнового струму ФЧЕ та ОК можна шляхом поєднання захисних областей n+- та p+-, де р+-ОК є областю обмеження каналів витоку темнового струму, ізотипних з матеріалом підкладки. ФД виконано з p+-ОК по периферії кристала у вигляді концентричного кільця, а також з p+-областю по всій периферії кристала. Це дозволяє знизити рівень темнового струму n+-ОК за рахунок зменшення площі збору носіїв заряду з поверхні. Але істотного зменшення темнового струму ФЧЕ в таких випадках не спостерігалося. Нами запропоновано здійснювати дифузію бору в проміжках між ФЧЕ та між ФЧЕ та n+-ОК.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherПрикарпатський національний університет імені Василя Стефаникаuk_UA
dc.subjectкремнійuk_UA
dc.subjectфотодіодuk_UA
dc.subjectтемновий струмuk_UA
dc.subjectохоронне кільцеuk_UA
dc.titleВплив структури охоронних кілець на темнові струми кремнієвих p-i-n фотодіодівuk_UA
dc.title.alternativeThe influence of the structure of guard rings on the dark currents of silicon p-i-n photodiodesuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 24, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
6564-Текст статті-21644-1-10-20231118.pdf1.08 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.