Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/20588
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorФочук, Петро Михайлович-
dc.contributor.authorСняла, Юлія Юріївна-
dc.contributor.authorАрмані, Н.-
dc.contributor.authorГріл, Р.-
dc.date.accessioned2024-10-07T09:10:28Z-
dc.date.available2024-10-07T09:10:28Z-
dc.date.issued2024-
dc.identifier.citationФочук П. М. Електричні властивості монокристалів CdTe:P при низьких та високих температурах / П. М. Фочук, Ю. Ю. Сняла, Н. Армані, Р. Гріл // Фізика і хімія твердого тіла. - 2024. - Т. 25. - № 2. - С. 352-361.uk_UA
dc.identifier.other10.15330/pcss.25.2.352-361-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/20588-
dc.description.abstractДосліджено властивості монокристалів CdTe:P, які були вирощені методом Бріджмена із розплаву з початковою концентрацією домішок 1×1019 ат/cм3, при високих температурах (470-1170 К) за допомогою вимірювання ефекту Холла. Аналіз експериментальних результатів показує, що до температури близько 700 K зразки мали p-тип провідності, а вище 940 K – n-тип. Ізотермічні залежності константи Холла суттєво відрізняється від аналогічних залежностей для нелегованого матеріалу через вплив домішок. Акцепторна дія фосфору спостерігається до 1170 K завдяки високому вмісту акцепторної домішкової форми (PTe). Результати низькотемпературних електричних вимірювань доводять, що домішка фосфору володіє високою розчинністю в кристалах CdTe. За допомогою ІЧ-мікроскопії встановлено, що при введенні фосфору в CdTe практично зникають включення другої фази завбільшки близько 1 мкм, що завжди спостерігаються в даному матеріалі.uk_UA
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherПрикарпатський національний університет імені Василя Стефаникаuk_UA
dc.subjectкадмій телуридuk_UA
dc.subjectефект Холлаuk_UA
dc.subjectточкові дефектиuk_UA
dc.subjectфосфорuk_UA
dc.titleЕлектричні властивості монокристалів CdTe:P при низьких та високих температурахuk_UA
dc.title.alternativeElectrical properties of CdTe:P single crystals at low and high temperaturesuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:Т. 25, № 2

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
18_Sniala(e).pdf1.04 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.