Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/2808
Повний запис метаданих
Поле DC | Значення | Мова |
---|---|---|
dc.contributor.author | Фреїк, Дмитро Михайлович | - |
dc.contributor.author | Прокопів, Володимир Васильович | - |
dc.contributor.author | Кланічка, Володимир Михайлович | - |
dc.contributor.author | Козич, Олег Васильович | - |
dc.contributor.author | Чобанюк, Володимир Михайлович | - |
dc.date.accessioned | 2020-03-29T13:44:03Z | - |
dc.date.available | 2020-03-29T13:44:03Z | - |
dc.date.issued | 2000 | - |
dc.identifier.citation | ФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА Т.1, №1 (2000) С.17-25 | uk_UA |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/2808 | - |
dc.description.abstract | На основі моделі утворення атомних однозарядних дефектів Френкеля в катіонній підгратці монохалькогенідів свинцю PbX (X – S, Se, Te) при двотемпературному відпалі в парах халькогену одержано аналітичні вирази для залежності концентрації (n) носіїв струму та температури (Tn-p) термодинамічного n-p-переходу від технологічних факторів: температури відпалу (Т1) та парціального тиску парів халькогену . Побудовані фазові діаграми рівноваги, визначенні умови формування матеріалу n- і p-типу провідності із заданою концентрацією носіїв струму. Результати розрахунку добре узгоджуються із наявними експериментальними даними. | uk_UA |
dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
dc.relation.ispartofseries | ФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА;Т.1, №1 (2000) С.17-25 | - |
dc.subject | халькогеніди свинцю, атомні дефекти, кристалохімія, двотемпературний відпал | uk_UA |
dc.title | Кристалохімічна модель власних атомних дефектів при двотемпературному відпалі кристалів монохалькогенідів свинцю | uk_UA |
dc.title.alternative | Стаття | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Розташовується у зібраннях: | Статті та тези (ФТФ) |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
16.pdf | 548.72 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.