Подвійний термодинамічний n-p-перехід у кристалах телуриду кадмію, легованого хлором

Abstract

Методом моделювання квазіхімічними реакціями дефектоутворення у легованих хлором кристалах телуриду кадмію при їх високотемпературному відпалі в парі компонентів (Cd, Te) описано утворення подвійного термодинамічного n-p-переходу. Одержано аналітичний вираз для визначення парціального тиску пари кадмію , що відповідає термодинамічним n-p-переходам. Наявність двох n-p-переходів пояснено утворенням антиструктурними дефектами TeCd. Знайдено константи рівноваги утворення ком-плексів і антиструктурних дефектів TeCd. Визначені умови формування матеріалу n- і р-типу провідності із заданою концентрацією носіїв струму.