Особливості структурних, кінетичних та енергетичних характеристик твердого розчину ZrNiSn1-xGax

Abstract

Досліджено особливості структурних, кінетичних та енергетичних характеристик напівпровідникового твердого розчину ZrNiSn1-xGax у діапазоні: Т = 80 - 400 К, х = 0 – 0,15. Підтверджено невпорядкованість кристалічної структури n-ZrNiSn як результат зайняття атомами Ni (3d84s2) до ~ 1 % позиції 4а атомів Zr (4d25s2), що генерує у забороненій зоні донорну зону ɛD1. Показано, що уведення атомів Ga (4s24p1) шляхом заміщення Sn (5s25p2) упорядковує кристалічну структуру, генеруючи у позиції 4b структурні дефекти акцепторної природи, які породжують протяжну домішкову акцепторну зону ɛА. Висунуто припущення про одночасне з акцепторами генерування структурних дефектів донорної природи (донорно-акцепторна пара) у вигляді вакансій у позиції атомів Sn (4b), які породжують глибоку донорну зону ɛD2.