Крайове поглинання тонких плівок (Y0.06Ga0.94)2O3

Abstract

Методом оптичної спектроскопії досліджено область фундаментального поглинання тонких плівок (Y0.06Ga0.94)2O3, отриманих методом високочастотного іонно-плазмового розпилення. Встановлено, що дані плівки формуються у моноклінній структурі b-Ga2O3. Оптична ширина забороненої зони даних плівок є більшою ніж у плівках b-Ga2O3 і становить 4,66 еВ для плівок, відпалених у кисні, 4,77 еВ для плівок, відпалених у аргоні і 4,87 еВ для плівок, відновлених у атмосфері водню. Оцінено зведену ефективну масу вільних носіїв заряду у плівках (Y0.06Ga0.94)2O3 після відпалу плівок та після відновлення у водні. Встановлено, що концентрація носіїв заряду після відпалу у кисні становить 1,32´1018 см–3, після відпалу в аргоні – 3,41´1018 см–3 , та після відновлення у водні – 5,20´1018 см–3, що характерне для вироджених напівпровідників. Показано, що зсув краю фундаментального поглинання в тонких плівках (Y0.06Ga0.94)2O3 зумовлений ефектом Бурштейна-Мосса.