DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/4196| Title: | Локалізовані стани електронів у напівпровідниках. II. Експериментальні методи дослідження |
| Authors: | Возняк, Орест Михайлович Фреїк, Дмитро Михайлович Паращук, Тарас Олексійович Чобанюк, Володимир Михайлович Горічок, Ігор Володимирович |
| Keywords: | локалізовані стани, донорні рівні, акцепторні рівні, енергія йонізації дефектів |
| Issue Date: | 2011 |
| Citation: | Фреїк Д.М., Возняк О.М., Паращук Т.О., Чобанюк В.М., Горічок І.В. Локалізовані стани електронів у напівпровідниках. II. Експериментальні методи дослідження \\ ФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА. -2011. - Т. 12, № 2. - С. 445-454. |
| Abstract: | Представлено аналіз експериментальних методів визначення мілких і глибоких центрів у напівпровідникових кристалах. Особлива увага звернута на кінетичні, релаксаційні та оптичні методи визначення енергії йонізації дефектів. Підкреслено особливості використання відзначених експериментальних методів та отриманих на їх основі результатів. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/4196 |
| Appears in Collections: | Статті та тези (ФТФ) |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 1202-29.pdf | 302.51 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.