Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/4196
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Возняк, Орест Михайлович | - |
dc.contributor.author | Фреїк, Дмитро Михайлович | - |
dc.contributor.author | Паращук, Тарас Олексійович | - |
dc.contributor.author | Чобанюк, Володимир Михайлович | - |
dc.contributor.author | Горічок, Ігор Володимирович | - |
dc.date.accessioned | 2020-04-03T19:41:05Z | - |
dc.date.available | 2020-04-03T19:41:05Z | - |
dc.date.issued | 2011 | - |
dc.identifier.citation | Фреїк Д.М., Возняк О.М., Паращук Т.О., Чобанюк В.М., Горічок І.В. Локалізовані стани електронів у напівпровідниках. II. Експериментальні методи дослідження \\ ФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА. -2011. - Т. 12, № 2. - С. 445-454. | uk_UA |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/4196 | - |
dc.description.abstract | Представлено аналіз експериментальних методів визначення мілких і глибоких центрів у напівпровідникових кристалах. Особлива увага звернута на кінетичні, релаксаційні та оптичні методи визначення енергії йонізації дефектів. Підкреслено особливості використання відзначених експериментальних методів та отриманих на їх основі результатів. | uk_UA |
dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
dc.subject | локалізовані стани, донорні рівні, акцепторні рівні, енергія йонізації дефектів | uk_UA |
dc.title | Локалізовані стани електронів у напівпровідниках. II. Експериментальні методи дослідження | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Appears in Collections: | Статті та тези (ФТФ) |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
1202-29.pdf | 302.51 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.