Please use this identifier to cite or link to this item:
Other Titles: Стаття
Authors: Фреїк, Дмитро Михайлович
Мудрий, Степан Іванович
Прокопів, Володимир Васильович
Горічок, Ігор Володимирович
Матківський, Остап Миколайович
Арсенюк, Інна Олександрівна
Криницький, Олександр Степанович
Бойчук, Володимира Михайлівна
Keywords: tin telluride, doping, thermoelectric properties
Issue Date: 2016
Citation: Ukr. J. Phys. 2016. Vol. 61, No. 2
Series/Report no.: Український фізичний журнал.;2016. Vol. 61, No. 2
Abstract: X-ray researches are carries out, and the thermoelectric coefficient 𝛼 and the specific conductivity 𝜎 are measured for tin telluride specimens doped with bismuth to concentrations of 0–2.0 at.% Bi. Non-monotonic dependences of the unit cell parameter and the electrical parameters on the Bi impurity content are demonstrated. The introduction of bismuth to 1.0 at.% is found to favor an increase in the thermoelectric power 𝛼2𝜎 in SnTe at temperatures 𝑇 > 500 K as a result of the thermoelectric coefficient growth.
Appears in Collections:Статті та тези (ФТФ)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Ukjourph_2016_61_2_11 (2).pdf593.47 kBAdobe PDFView/Open

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.