Покращення досконалості кристалічної ґратки InP шляхом імплантації іонів Не+ та наступного відпалу

Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/4810

Title:	Покращення досконалості кристалічної ґратки InP шляхом імплантації іонів Не+ та наступного відпалу
Other Titles:	Improvement of InP crystalline perfection by He+- implantation and subsequent annealing
Authors:	Терлецький, Андрій Іванович Tighinyanu, Ion Ursaki, Viaceslav
Keywords:	фосфід індію досконалість кристалічної ґратки Raman spectra
Issue Date:	1995
Publisher:	Solid State Communication
Citation:	Tiginyanu I. M. Improvement of InP crystalline perfection by He+- implantation and subsequent annealing // I. M. Tiginyanu, A. I. Terletsky, V. V. Ursaki // Solid State Commun. – 1995. – Vol. 96, No.10. – pp. 789-792.
URI:	http://hdl.handle.net/123456789/4810
Appears in Collections:	Статті та тези (ФТФ)

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
tiginyanu.improvement_of_inp_crystalline.pdf		353.18 kB	Adobe PDF	View/Open

DSpace JSPUI