DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/541| Назва: | Електрофізичні властивості кристалів Cd1-xMnxTe (х < 0,1), легованих германієм |
| Інші назви: | Electro-Physical Properties of Ge-doped Cd1-xMnxTe (x < 0.1) Crystals |
| Автори: | Солодін, Сергій Володимирович Никонюк, Євген Сергійович Раренко, Г. І. Фочук, Петро Михайлович |
| Ключові слова: | Cd1-xMnxTe тверді розчини електричні властивості ефект Холла |
| Дата публікації: | 2019 |
| Бібліографічний опис: | Солодін С. В. Електрофізичні властивості кристалів Cd1-xMnxTe (х < 0,1), легованих германієм / С. В. Солодін, Є. С.Никонюк, Г. І. Раренко, П. М. Фочук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2019. - Т. 20. - №2. - С. 144-148. |
| Короткий огляд (реферат): | Методом Бріджмена вирощено кристали Cd1-xMnxTe (х=0,02; 0,04; 0,08), леговані домішкою Ge. Електричними вимірюваннями в інтервалі температур 280-420 К встановлено, що діркова провідність кристалів контролюється глибокими компенсованими акцепторами, енергія іонізації яких (εА) збільшується з вмістом Mn(x) згідно зі співвідношенням εА=0,6(1+2х) еВ. При 300 К: ρ = (108-109) (Ом×см), RХ=(5×109-5×1010) см3/Кл; рухливість носіїв струму ~50 см2/(В×с). |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/541 |
| Розташовується у зібраннях: | Т.20, №2 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 3832-11481-1-PB.pdf | 747.14 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.