1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2019
  6. Т.20, №2
Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/541
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorСолодін, Сергій Володимирович-
dc.contributor.authorНиконюк, Євген Сергійович-
dc.contributor.authorРаренко, Г. І.-
dc.contributor.authorФочук, Петро Михайлович-
dc.date.accessioned2019-09-24T08:29:12Z-
dc.date.available2019-09-24T08:29:12Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.citationСолодін С. В. Електрофізичні властивості кристалів Cd1-xMnxTe (х < 0,1), легованих германієм / С. В. Солодін, Є. С.Никонюк, Г. І. Раренко, П. М. Фочук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2019. - Т. 20. - №2. - С. 144-148.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/541-
dc.description.abstractМетодом Бріджмена вирощено кристали Cd1-xMnxTe (х=0,02; 0,04; 0,08), леговані домішкою Ge. Електричними вимірюваннями в інтервалі температур 280-420 К встановлено, що діркова провідність кристалів контролюється глибокими компенсованими акцепторами, енергія іонізації яких (εА) збільшується з вмістом Mn(x) згідно зі співвідношенням εА=0,6(1+2х) еВ. При 300 К: ρ = (108-109) (Ом×см), RХ=(5×109-5×1010) см3/Кл; рухливість носіїв струму ~50 см2/(В×с).uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.subjectCd1-xMnxTeuk_UA
dc.subjectтверді розчиниuk_UA
dc.subjectелектричні властивостіuk_UA
dc.subjectефект Холлаuk_UA
dc.titleЕлектрофізичні властивості кристалів Cd1-xMnxTe (х < 0,1), легованих германіємuk_UA
dc.title.alternativeElectro-Physical Properties of Ge-doped Cd1-xMnxTe (x < 0.1) Crystalsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т.20, №2

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
3832-11481-1-PB.pdf747.14 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.