Please use this identifier to cite or link to this item:
Title: Радіаційні точкові дефекти в епітаксійних плівках SnTe
Other Titles: Radiation-induced point defect in epitaxial layers of SnTe
Authors: Салій, Ярослав Петрович
Остафійчук, Богдан Костянтинович
Чобанюк, Володимир Михайлович
Keywords: lattice parameter, holes concentration
Issue Date: 12-Dec-1999
Publisher: ФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА Т.1, №1 (2000) С. 71-76
Citation: стаття
Abstract: Dependence of lattice parameter and holes concentration in epitaxial layers p-SnTe on integral α-particles flux are investigated. Comparing rated and experimental data the conclusion on acceptor character of tin vacancies vjn and tellurium vacancies 2− Te V have been made.
Description: Стаття спільна з аспірантами
ISSN: 1729-4428
Appears in Collections:Статті та тези (ФТФ)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Radiation Os Sa Ch Ma Py.pdf214.53 kBAdobe PDFView/Open

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.