Радіаційні точкові дефекти в епітаксійних плівках SnTe

Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/5421

Назва:	Радіаційні точкові дефекти в епітаксійних плівках SnTe
Інші назви:	Radiation-induced point defect in epitaxial layers of SnTe
Автори:	Салій, Ярослав Петрович Остафійчук, Богдан Костянтинович Чобанюк, Володимир Михайлович
Ключові слова:	lattice parameter, holes concentration
Дата публікації:	12-гру-1999
Видавництво:	ФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА Т.1, №1 (2000) С. 71-76
Бібліографічний опис:	стаття
Короткий огляд (реферат):	Dependence of lattice parameter and holes concentration in epitaxial layers p-SnTe on integral α-particles flux are investigated. Comparing rated and experimental data the conclusion on acceptor character of tin vacancies vjn and tellurium vacancies 2− Te V have been made.
Опис:	Стаття спільна з аспірантами
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу):	http://hdl.handle.net/123456789/5421
ISSN:	1729-4428
Розташовується у зібраннях:	Статті та тези (ФТФ)

Файли цього матеріалу:

Файл	Опис	Розмір	Формат
Radiation Os Sa Ch Ma Py.pdf		214.53 kB	Adobe PDF	Переглянути/Відкрити

Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.

DSpace JSPUI