Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/5501
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorNovosyadlyj, S.-
dc.contributor.authorIvasuyk, R.-
dc.contributor.authorKotyk, M.-
dc.date.accessioned2020-04-16T17:29:58Z-
dc.date.available2020-04-16T17:29:58Z-
dc.date.issued2017-
dc.identifier.citationKotyk M, Features Potential Measurements in Submicron High Integral Circuits Structures Using Electro-Optical Effect in Liquid Crystals, S. Novosyadlyj, R. Ivasuyk, M. Kotyk,/ PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDSTATE – 2017, - V. 18, № 3 (2017) P. 376-381uk_UA
dc.identifier.issn1729-4428-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/5501-
dc.description.abstractThe quantitative values of electric potentials in the elements of submicron structures High Integral Circuits in the operating mode can be experimentally determined using electro-optic effect in nematics liquid crystal. This method relates to methods of diagnosing electronic structures of High Integral Circuits using Technical System and relates to the technology of Automated Design System and High Integral Circuits.uk_UA
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛАuk_UA
dc.subjectliquid crystalsuk_UA
dc.subjecthighly integrated circuituk_UA
dc.subjectautomated design systemuk_UA
dc.subjectnematic liquid crystalsuk_UA
dc.subjecttwisteffectuk_UA
dc.titleFeatures Potential Measurements in Submicron High Integral Circuits Structures Using Electro-Optical Effect in Liquid Crystalsuk_UA
dc.title.alternativeОсобливості вимірювання потенціалів в субмікронних структурах ВІС з використанням електрооптичного ефекту в рідких кристалахuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:Статті та тези (ФТФ)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
2283-6479-1-PB.pdf1.24 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.