Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/568
Title: Magnetoresistance of Ge-Si Whiskers in the Vicinity to Metal–Insulator Transition
Other Titles: Магнітоопір ниткоподібних кристалів Ge-Si в області переходу метал-діелектри
Authors: Дружинін, Анатолій Олександрович
Островський, Ігор Петрович
Ховерко, Юрій Миколайович
Лях-Кагуй, Наталія Степанівна
Keywords: магнітоопір
ниткоподібні кристали
тверді розчини Ge-Si
перехід метал-діелектрик
Issue Date: 2018
Citation: Дружинін А. О. Магнітоопір ниткоподібних кристалів Ge-Si в області переходу метал-діелектри / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, Н. С. Лях-Кагуй // Фізика і хімія твердого тіла. - 2018. - Т. 19. - № 2. - С. 130-133.
Abstract: Магнітоопір ниткоподібних кристалів (НК) GeхSi1-х (x = 0,002 x 0,11) з концентрацією акцепторів (Na = 3 x 10^18 x 2 x 10^19 cм^-3) поблизу переходу метал-діелектрик (ПМД) вивчали за низьких температур (4,2 - 77 К) в магнітних полях до 14 Т. Показано, що при 4,2 К магнітоопір ниткоподібних кристалів Ge-Si з діелектричного боку переходу є квадратичним, тоді як магнітоопір кристалів з металевого боку переходу має експоненціальну залежність від магнітного поля. У зразках у безпосередній близькості до ПМД з діелектричного боку виявлено від’ємний магнітоопір, тоді як у зразках з металевого боку переходу з високим вмістом германію (х = 11 ат.%) спостерігається аномальний позитивний магнітоопір. Отримані аномальні залежності, відповідно, пояснюються провідністю по делокалізованих станах А^+ верхньої зони Хаббарда та збільшенням електрон-електронної взаємодії в НК Ge-Si при збільшенні вмісту германію.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/568
Appears in Collections:Т.19 №2

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2960-9486-1-PB.pdf146.13 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.