Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/579
Повний запис метаданих
Поле DC | Значення | Мова |
---|---|---|
dc.contributor.author | Кішкар, А. С. | - |
dc.contributor.author | Курилюк, Василь Васильович | - |
dc.date.accessioned | 2019-10-03T09:24:53Z | - |
dc.date.available | 2019-10-03T09:24:53Z | - |
dc.date.issued | 2018 | - |
dc.identifier.citation | Кішкар А. С. Молекулярно-динамічне моделювання коефіцієнта теплопровідності кремній/германієвих нанониток / А. С. Кішкар, В. В. Курилюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2018. - Т. 19. - № 3. - С. 222-225. | uk_UA |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/579 | - |
dc.description.abstract | З використанням методу нерівноважної молекулярної динаміки розраховано коефіцієнт теплопровідності кремній/германієвих нанониток різної геометрії і компонентного складу. Показано, що при зростанні вмісту германію x, теплопровідність нанониток Si1-xGex зменшується, досягає мінімуму при x=0.4 і поступово починає зростати. Виявлено, що в порожнистих Si нанонитках коефіцієнт теплопровідності монотонно зменшується при зростанні радіусу порожнини. Розраховано фононні спектри та проаналізовано механізми фононного розсіювання в досліджуваних нанонитках. | uk_UA |
dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
dc.subject | коефіцієнт теплопровідності | uk_UA |
dc.subject | нанонитка | uk_UA |
dc.subject | кремній | uk_UA |
dc.subject | молекулярна динаміка | uk_UA |
dc.title | Молекулярно-динамічне моделювання коефіцієнта теплопровідності кремній/германієвих нанониток | uk_UA |
dc.title.alternative | Molecular Dynamics Modeling of Thermal Conductivity of Silicon/Germanium Nanowires | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Розташовується у зібраннях: | Т.19 №3 |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
3045-9697-1-PB.pdf | 1.39 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.