Електропровідність та магнетоопір мікроструктур кремнію за низьких температур в околі переходу метал-діелектрик

Abstract

Проведено комплексні дослідження мікрокристалів кремнію з питомим опором від ρ300К =0,025 Ом×см до ρ300К = 0,007 Ом×см, легованих транспортною домішкою бору до концентрацій, щовідповідають переходу метал-діелектрик та модифікованих домішкою перехідного металу нікелю занизьких температур до температури скрапленого гелію Т = 4,2 К в магнітних полях до 14 Тл. Визначеноособливості електрофізичних характеристик зразків за низьких температур в сильних магнітних полях до14 Тл, що обумовлені впливом магнітної домішки в розбавлених магнетитиками напівпровідниках ізапропоновано викорастання таких кристалів в сенсорах фізичних величин (температура, магнітне поле,деформація).