DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/600| Title: | Особливості формування НВЧ арсенід-галієвих субмікронних структур великих інтегральних схем |
| Other Titles: | Peculiarities of Forming of Microwave Arsenide-Gallium Submicron Structures of Large-scale Integrated Circuit |
| Authors: | Новосядлий, Степан Петрович Мандзюк, Володимир Ігорович Гуменюк, Н. Т. Гук, І. З. |
| Keywords: | арсенід галію польові транзистори Шотткі нітрид вольфраму силіцид вольфраму монокремій |
| Issue Date: | 2018 |
| Citation: | Новосядлий С. П. Особливості формування НВЧ арсенід-галієвих субмікронних структур великих інтегральних схем / С. П. Новосядлий, В. І. Мандзюк, Н. Т. Гуменюк, І. З. Гук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2018. - Т. 19. - № 2. - С. 186-190. |
| Abstract: | У роботі розглянуто особливості технологічних процесів формування субмікронних польових транзисторів Шотткі з використанням арсенід-галієвої технології, а саме технологію формування польових транзисторів Шотткі із самосуміщеним затвором на основі нітриду або силіциду вольфраму. Розроблено високоефективну технологію формування капсулюючих шарів нітридних плівок AlN та BN високочастотним магнетронним розпиленням відповідної мішені в азотній плазмі для реалізації МДН- транзисторів на GaAs |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/600 |
| Appears in Collections: | Т.19 №2 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 2377-9503-1-PB.pdf | 505.89 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.