1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2018
  6. Т.19 №2
Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/600
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorНовосядлий, Степан Петрович-
dc.contributor.authorМандзюк, Володимир Ігорович-
dc.contributor.authorГуменюк, Н. Т.-
dc.contributor.authorГук, І. З.-
dc.date.accessioned2019-10-07T09:14:00Z-
dc.date.available2019-10-07T09:14:00Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.citationНовосядлий С. П. Особливості формування НВЧ арсенід-галієвих субмікронних структур великих інтегральних схем / С. П. Новосядлий, В. І. Мандзюк, Н. Т. Гуменюк, І. З. Гук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2018. - Т. 19. - № 2. - С. 186-190.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/600-
dc.description.abstractУ роботі розглянуто особливості технологічних процесів формування субмікронних польових транзисторів Шотткі з використанням арсенід-галієвої технології, а саме технологію формування польових транзисторів Шотткі із самосуміщеним затвором на основі нітриду або силіциду вольфраму. Розроблено високоефективну технологію формування капсулюючих шарів нітридних плівок AlN та BN високочастотним магнетронним розпиленням відповідної мішені в азотній плазмі для реалізації МДН- транзисторів на GaAsuk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.subjectарсенід галіюuk_UA
dc.subjectпольові транзистори Шотткіuk_UA
dc.subjectнітрид вольфрамуuk_UA
dc.subjectсиліцид вольфрамуuk_UA
dc.subjectмонокремійuk_UA
dc.titleОсобливості формування НВЧ арсенід-галієвих субмікронних структур великих інтегральних схемuk_UA
dc.title.alternativePeculiarities of Forming of Microwave Arsenide-Gallium Submicron Structures of Large-scale Integrated Circuituk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т.19 №2

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2377-9503-1-PB.pdf505.89 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.