DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/607Повний запис метаданих
| Поле DC | Значення | Мова |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Новосядлий, Степан Петрович | - |
| dc.contributor.author | Грига, Володимир Михайлович | - |
| dc.contributor.author | Куриш, І. І. | - |
| dc.contributor.author | Мельник, М. І. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-10-08T08:25:44Z | - |
| dc.date.available | 2019-10-08T08:25:44Z | - |
| dc.date.issued | 2018 | - |
| dc.identifier.citation | Новосядлий С. П. Термопольова стабілізація порогової напруги польових транзисторів субмікронної технології ВІС / С. П. Новосядлий, В. М. Грига, І. І. Куриш, М. І. Мельник // Фізика і хімія твердого тіла. - 2018. - Т. 19. - № 4. - С. 352-357. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/607 | - |
| dc.description.abstract | На основі аналізу об’ємної відповідності фаз в діючій затворній системі Si-SiO2 показана можливість отримання від’ємного заряду в затворній системі субмікронних ВІС. Такий технологічний метод експериментально провірений при низькотемпературному оксидуванні кремнію, на що отримано патент на винахід. Дослідженнями встановлено, що на величину заряду на міжфазній межі можна суттєво впливати шляхом введення в окислювальну атмосферу галогеномістних сполук. | uk_UA |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.subject | транзистори | uk_UA |
| dc.subject | субмікронна технологія | uk_UA |
| dc.subject | стабілізація | uk_UA |
| dc.title | Термопольова стабілізація порогової напруги польових транзисторів субмікронної технології ВІС | uk_UA |
| dc.title.alternative | Thermal Field Stabilization of the Threshold Voltage of the Field Transistors of the Submicron Technology of the LSI | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| Розташовується у зібраннях: | Т.19 №4 | |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 3381-10042-1-PB.pdf | 556.23 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.