DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/6233| Назва: | Енергії утворення моновакансій у кристалах А 3В 5 та А 4В 6 |
| Інші назви: | Стаття |
| Автори: | Прокопів, Володимир Васильович Горічок, Ігор Володимирович Юрчишин, Любов Дмитрівна |
| Ключові слова: | бінарні напівпровідники, точкові дефекти, енергія утворення вакансій |
| Дата публікації: | 2010 |
| Бібліографічний опис: | ФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА Т. 11, № 4 (2010) С. 849-852 |
| Серія/номер: | ;Т. 11, № 4 (2010) С. 849-852 |
| Короткий огляд (реферат): | На основі термодинамічних підходів розраховано ентальпії утворення моновакансій металу та халькогену у кристалах А 3В 5 та А 4В 6 . Встановлено, що деформації в околі нейтральних вакансій не є значними і суттєво не впливають на значення енергій утворення цих дефектів. Розраховані значення енергій утворення вакансій узгоджуються з літературними даними, і можуть бути використані для оцінки концентрацій цих дефектів у напівпровідниках. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/6233 |
| Розташовується у зібраннях: | Статті та тези (ФТФ) |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 1104-06.pdf | 124.72 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.