DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/7041| Title: | Образование глубоких уровней в р-InP при электронном облучении |
| Authors: | Терлецький, Андрій Іванович Радауцан, Сергій Іванович Урсакі, Вячеслав |
| Keywords: | Фосфід індію глибокі рівні радіаційні дефекти DLTS |
| Issue Date: | 1992 |
| Publisher: | Известия Академии наук Республики Молдова, серия Физика и техника |
| Citation: | Радауцан С. И. Образование глубоких уровней в р-InP при электронном облучении / С. И. Радауцан, В. В. Урсаки, А. И. Терлецкий // Известия АН РМ, сер. Физика и техника. – 1992. – 1(7), – с. 85-87. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/7041 |
| Appears in Collections: | Статті та тези (ФТФ) |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| BASRM_1_1992.pdf | 424.41 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.