Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/7045
Назва: Співімплантація Zn+/As+ та Zn+/Ar+ в монокристали GaAs
Автори: Терлецький, Андрій Іванович
Радауцан, Сергій Іванович
Тігіняну, Іван Михайлович
Урсакі, Вячеслав
Dascalu, D
Marinescu, R
Cobsanu, C
Ключові слова: арсенід галію
подвійна імплантація
концентраційні профілі
активація домішки
Дата публікації: 1993
Видавництво: Матеріали 16-ї щорічної конференції з напівпровідників, 12-17 жовтня 1993 р, Сіная, Румунія
Бібліографічний опис: Radautsan S. I. Zn+/As+ an Zn+/Ar+ co-implantation in GaAs single crystals / S. I. Radautsan, A. I. Terletsky, I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, C. Cobianu, D. Dascalu, R. Marinescu // Proceedings 16th Edition of Annual Semiconductor Conf., October 12-17, Sinaia, Romania. – 1993. – pp. 465-468.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/7045
Розташовується у зібраннях:Статті та тези (ФТФ)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
CAS-93.pdf272.94 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.