Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/7045
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorТерлецький, Андрій Іванович-
dc.contributor.authorРадауцан, Сергій Іванович-
dc.contributor.authorТігіняну, Іван Михайлович-
dc.contributor.authorУрсакі, Вячеслав-
dc.contributor.authorDascalu, D-
dc.contributor.authorMarinescu, R-
dc.contributor.authorCobsanu, C-
dc.date.accessioned2020-05-10T16:26:29Z-
dc.date.available2020-05-10T16:26:29Z-
dc.date.issued1993-
dc.identifier.citationRadautsan S. I. Zn+/As+ an Zn+/Ar+ co-implantation in GaAs single crystals / S. I. Radautsan, A. I. Terletsky, I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, C. Cobianu, D. Dascalu, R. Marinescu // Proceedings 16th Edition of Annual Semiconductor Conf., October 12-17, Sinaia, Romania. – 1993. – pp. 465-468.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/7045-
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherМатеріали 16-ї щорічної конференції з напівпровідників, 12-17 жовтня 1993 р, Сіная, Румуніяuk_UA
dc.subjectарсенід галіюuk_UA
dc.subjectподвійна імплантаціяuk_UA
dc.subjectконцентраційні профіліuk_UA
dc.subjectактивація домішкиuk_UA
dc.titleСпівімплантація Zn+/As+ та Zn+/Ar+ в монокристали GaAsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:Статті та тези (ФТФ)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
CAS-93.pdf272.94 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.