Дослідження комбінаційного розсіювання світла в монокристалах GaAs, імплантованих іонами Zn+ та коімплантованих іонами As+ та Ar+

Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/7053

Назва:	Дослідження комбінаційного розсіювання світла в монокристалах GaAs, імплантованих іонами Zn+ та коімплантованих іонами As+ та Ar+
Автори:	Терлецький, Андрій Іванович Радауцан, Сергій Іванович Тігіняну, Іван Михайлович Урсакі, Вячеслав Ікізлі, Вікторія Cobianu, C Dascalu, D
Ключові слова:	спектри Рамана подвійна імплантація арсенід галію активація домішки
Дата публікації:	1994
Видавництво:	Матеріали 17-ї щорічної конференції з напівпровідників, 11-16 жовтня 1994 р, Сіная, Румунія
Бібліографічний опис:	Radautsan S. I. Raman characterisation of Zn+ implanted GaAs single crystals coimplanted with As+ and Ar+ ions / S. I. Radautsan, A. I. Terletsky, I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, Ichizli V. M., C. Cobianu, D. Dascalu // Proceedings 17th Edition of Annual Semiconductor Conf. October 11-16, Sinaia, Romania. – 1994. – pp. 247-250.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу):	http://hdl.handle.net/123456789/7053
Розташовується у зібраннях:	Статті та тези (ФТФ)

Файли цього матеріалу:

Файл	Опис	Розмір	Формат
CAS-94.pdf		263.56 kB	Adobe PDF	Переглянути/Відкрити

Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.

DSpace JSPUI