DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/7127| Title: | Остівні одноелектронні стани адсорбційних комплексів Ge на поверхні Si(001)(4´2) |
| Other Titles: | Core-Level States of Single-Electron Adsorption Complexes Ge on Si (001) (4´2) |
| Authors: | Ткачук, Ольга Іванівна Теребінська, Марія Іванівна Лобанов, Віктор Васильович |
| Keywords: | поверхня кремнію адсорбція германію метод теорії функціонала густини кластерний підхід |
| Issue Date: | 2015 |
| Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Citation: | Ткачук О. І. Остівні одноелектронні стани адсорбційних комплексів Ge на поверхні Si(001)(4´2) / О. І. Ткачук, М. І. Теребінська, В. В. Лобанов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 2. - С. 316-321. |
| Abstract: | Розрахунки (ТФГ, B3LYP, 6-31 G**) хімічних зсувів компоненти 5 2 3d остівного рівня 3d атомів германію, які входять в поверхневий шар кластера Si96H84•Ge2, що моделює молекулярний адсорбційний комплекс германію на реконструйованій грані Si(001)(4´2), показали що величина їх зсуву залежить від взаємного розташування атомів Ge. При впровадженні одного атома германію в кристалічну підкладку цей зсув позитивний, а впровадження двох атомів приводить до негативного хімічного зсуву. Дано трактування отриманих результатів, виходячи з розподілу заряду в кластерах, в так званому електростатичному наближенні. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/7127 |
| Appears in Collections: | Т. 16, № 2 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 753-2367-1-SM.pdf | 455.07 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.