DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/7241| Назва: | Вплив коімплантації іонів P+ на електричні параметри монокристалів GaAs, імплантованих іонами Zn+ |
| Інші назви: | Influence of P+ -coimplantation on electrical parameters of Zn+-implanted GaAs single crystals |
| Автори: | Терлецький, Андрій Іванович Урсакі, Вячеслав Ікізлі, Вікторія Тігіняну, Іван Михайлович |
| Ключові слова: | подвійна імплентація арсенід галію електричні параметри концентраційні профілі |
| Дата публікації: | 1996 |
| Видавництво: | Известия Академии наук Республики Молдова, серия Физика и техника |
| Бібліографічний опис: | Ursaki V. V. Influence of P+ -coimplantation on electrical parameters of Zn+-implanted GaAs single crystals / V. V. Ursaki, V. M. Ichizli, A. I. Terletsky, I. M. Tiginyanu // Известия АН РМ, сер. Физика и техника. – 1996. – 3(21). – с. 10-12. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/7241 |
| Розташовується у зібраннях: | Статті та тези (ФТФ) |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| BASRM_3_1996.pdf | 206.3 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.