Залежність електричних властивостей тонких шарів PbSe на поліамідній підкладці від технологічних факторів їх одержання

Abstract

Одним із перспективних способів одержання якісних тонкошарових матеріалів на основі сполук AIVBVI є метод гарячої стінки [1-3]. Експериментально встановлено [1-3], що властивості тонких шарів, одержаних за допомогою цього методу, визначають температури підкладок, випарника і стінок камери. Однак з’ясовано, що варіювання одного з факторів технологічного процесу при незмінних значеннях інших не дозволяє встановити міру їх відносного впливу на фізичні властивості шарів PbSe [4]. У цій роботі за допомогою методу математичного планування експерименту вивчено залежність електричних властивостей тонких шарів селеніду свинцю, вирощених з парової фази на поліаміді, від технологічних факторів. Вибір поліаміду в якості підкладок обумовлений особливими фізико-хімічними і механічними властивостями цього матеріалу