Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/7545
Назва: Вплив тиску кисню на властивості тонких плівок ZnO:Al, вирощених методом пошарового росту при магнетронному розпиленні
Інші назви: TheInfluenceofOxygen Pressure onZnO:AlThin Films Properties Grown byLayerbyLayer Growth MethodatMagnetronSputtering
Автори: Євтушенко, Арсеній Іванович
Биков, Олександр Іванович
Клочков, Леонід Олександрович
Литвин, Оксана Степанівна
Ткач, Василь Михайлович
Куцай, Олександр Михайлович
Старик, Сергій Петрович
Батурин, Владимир Андреевич
Карпенко, Олександр Юрійович
Душейко, Михайло Григорович
Лашкарьов, Георгій Вадимович
Ключові слова: ZnO плівки
легування алюмінієм
магнетронне осадження
оптичне пропускання
електричний опір
Дата публікації: 2015
Видавництво: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Євтушенко А. І. Вплив тиску кисню на властивості тонких плівок ZnO:Al, вирощених методом пошарового росту при магнетронному розпиленні / А. І. Євтушенко 1 , О. І. Биков, Л. О. Клочков, О. С. Литвин, В. М. Ткач, О. М. Куцай, С. П. Старик, В. А. Батурин, О. Ю. Карпенко, М. Г. Душейко, Г. В. Лашкарьов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 4. - С. 667-674.
Короткий огляд (реферат): Вивчено впливу тиску кисню в камері осадження на структуру, морфологію, оптичні та електричні властивості легованих алюмінієм плівок ZnO, осаджених методом пошарового росту в магнетронному розпиленні на скляних підкладках. Проаналізовано вплив застосування традиційного одноетапного підходу та запропонованого нами методу пошарового росту в магнетронному розпиленні на властивості плівок ZnO, легованих алюмінієм. Встановлено, що зі зменшенням тиску кисню в камері осадження покращується структура, збільшується пропускання в видимій області спектру випромінювання та зменшується питомий опір плівок ZnO:Al. Показано, що застосування методу пошарового росту в магнетронному розпиленні дозволяє виростити прозорі провідні плівки ZnO:Al з вищими робочими параметрами, порівняно з плівками, сконденсованими традиційним підходом в магнетронному розпиленні. Методом пошарового росту вирощено плівки ZnO:Al з електричним опором 6,1·10-4Ом·см та пропусканням у видимій області спектру випромінювання на рівні 95 %, що є перспективним для використання їх в приладах фотовольтаїки.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/7545
Розташовується у зібраннях:Т. 16, № 4

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
820-3179-1-PB.pdf532.08 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.