Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/7545
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЄвтушенко, Арсеній Іванович-
dc.contributor.authorБиков, Олександр Іванович-
dc.contributor.authorКлочков, Леонід Олександрович-
dc.contributor.authorЛитвин, Оксана Степанівна-
dc.contributor.authorТкач, Василь Михайлович-
dc.contributor.authorКуцай, Олександр Михайлович-
dc.contributor.authorСтарик, Сергій Петрович-
dc.contributor.authorБатурин, Владимир Андреевич-
dc.contributor.authorКарпенко, Олександр Юрійович-
dc.contributor.authorДушейко, Михайло Григорович-
dc.contributor.authorЛашкарьов, Георгій Вадимович-
dc.date.accessioned2020-05-27T07:06:26Z-
dc.date.available2020-05-27T07:06:26Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.citationЄвтушенко А. І. Вплив тиску кисню на властивості тонких плівок ZnO:Al, вирощених методом пошарового росту при магнетронному розпиленні / А. І. Євтушенко 1 , О. І. Биков, Л. О. Клочков, О. С. Литвин, В. М. Ткач, О. М. Куцай, С. П. Старик, В. А. Батурин, О. Ю. Карпенко, М. Г. Душейко, Г. В. Лашкарьов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 4. - С. 667-674.uk_UA
dc.identifier.other10.15330/pcss.16.4.667-674-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/7545-
dc.description.abstractВивчено впливу тиску кисню в камері осадження на структуру, морфологію, оптичні та електричні властивості легованих алюмінієм плівок ZnO, осаджених методом пошарового росту в магнетронному розпиленні на скляних підкладках. Проаналізовано вплив застосування традиційного одноетапного підходу та запропонованого нами методу пошарового росту в магнетронному розпиленні на властивості плівок ZnO, легованих алюмінієм. Встановлено, що зі зменшенням тиску кисню в камері осадження покращується структура, збільшується пропускання в видимій області спектру випромінювання та зменшується питомий опір плівок ZnO:Al. Показано, що застосування методу пошарового росту в магнетронному розпиленні дозволяє виростити прозорі провідні плівки ZnO:Al з вищими робочими параметрами, порівняно з плівками, сконденсованими традиційним підходом в магнетронному розпиленні. Методом пошарового росту вирощено плівки ZnO:Al з електричним опором 6,1·10-4Ом·см та пропусканням у видимій області спектру випромінювання на рівні 95 %, що є перспективним для використання їх в приладах фотовольтаїки.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectZnO плівкиuk_UA
dc.subjectлегування алюмініємuk_UA
dc.subjectмагнетронне осадженняuk_UA
dc.subjectоптичне пропусканняuk_UA
dc.subjectелектричний опірuk_UA
dc.titleВплив тиску кисню на властивості тонких плівок ZnO:Al, вирощених методом пошарового росту при магнетронному розпиленніuk_UA
dc.title.alternativeTheInfluenceofOxygen Pressure onZnO:AlThin Films Properties Grown byLayerbyLayer Growth MethodatMagnetronSputteringuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 16, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
820-3179-1-PB.pdf532.08 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.