Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/7551
Назва: Селективне травлення монокристалів ZnхCd1-хTe
Інші назви: Selective Etching of ZnхCd1-хTe Single Crystals
Автори: Окрепка, Галина Михайлівна
Томашик, Василь Миколайович
Ключові слова: хімічне травлення
тверді розчини
селективне травлення
ямки травлення
Дата публікації: 2015
Видавництво: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Окрепка Г. М. Селективне травлення монокристалів ZnхCd1-хTe / Г. М. Окрепка, В. М. Томашик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 4. - С. 711-715.
Короткий огляд (реферат): Селективне травлення – метод експрес-контролю дефектів структури в монокристалах напівпровідників. У статті наведено огляд літературних відомостей про селективне травлення монокристалів ZnxCd1-xTe. Інформацію систематизовано у вигляді таблиці, в якій наведено кількісний і якісний склад селективних травників і інформацію про дефекти, яку можна одержати після обробки ними.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/7551
Розташовується у зібраннях:Т. 16, № 4

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
829-2505-1-SM.pdf224.76 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.