Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/7551
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorОкрепка, Галина Михайлівна-
dc.contributor.authorТомашик, Василь Миколайович-
dc.date.accessioned2020-05-27T08:22:49Z-
dc.date.available2020-05-27T08:22:49Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.citationОкрепка Г. М. Селективне травлення монокристалів ZnхCd1-хTe / Г. М. Окрепка, В. М. Томашик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 4. - С. 711-715.uk_UA
dc.identifier.other10.15330/pcss.16.4.711-715-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/7551-
dc.description.abstractСелективне травлення – метод експрес-контролю дефектів структури в монокристалах напівпровідників. У статті наведено огляд літературних відомостей про селективне травлення монокристалів ZnxCd1-xTe. Інформацію систематизовано у вигляді таблиці, в якій наведено кількісний і якісний склад селективних травників і інформацію про дефекти, яку можна одержати після обробки ними.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectхімічне травленняuk_UA
dc.subjectтверді розчиниuk_UA
dc.subjectселективне травленняuk_UA
dc.subjectямки травленняuk_UA
dc.titleСелективне травлення монокристалів ZnхCd1-хTeuk_UA
dc.title.alternativeSelective Etching of ZnхCd1-хTe Single Crystalsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:Т. 16, № 4

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
829-2505-1-SM.pdf224.76 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.