DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/8025Повний запис метаданих
| Поле DC | Значення | Мова |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Новосядлий, Степан Петрович | - |
| dc.contributor.author | Луковкін, Володимир Віталійович | - |
| dc.contributor.author | Мельник, Р. | - |
| dc.contributor.author | Павлишин, А. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2020-09-16T13:23:10Z | - |
| dc.date.available | 2020-09-16T13:23:10Z | - |
| dc.date.issued | 2020 | - |
| dc.identifier.citation | Новосядлий С. П. Фізично-топологічне моделювання кремнієвого/арсенідгалієвого транзистора Шотткі субмікронної технології ВІС / С. П. Новосядлий, В. М. Луковкін, Р. Мельник, А. В. Павлишин // Фізика і хімія твердого тіла. - 2020. - Т. 21. - № 2. - С. 361-364. | uk_UA |
| dc.identifier.other | 10.15330/pcss.21.2.361-364 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/8025 | - |
| dc.description.abstract | В даній статті описані досліджені основи і фізичні механізми, арсенідгалієвих ПТШ на моно-Si-підкладках на бар’єрі Шотткі. Проведено комп’ютерне моделювання ПТШ з p-каналом: розподілів потенціалу, об’ємного заряду, струму в каналі та його характеристик. На основі проведеного моделювання відкрито новий ефект в ПТШ, а саме екранування об’ємного заряду, що суттєво впливає на струмовий розподіл в каналі. | uk_UA |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.publisher | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" | uk_UA |
| dc.subject | електроніка | uk_UA |
| dc.subject | ВІС | uk_UA |
| dc.subject | Польові транзистори Шотткі | uk_UA |
| dc.subject | моделювання | uk_UA |
| dc.subject | GaAs | uk_UA |
| dc.title | Фізично-топологічне моделювання кремнієвого/арсенідгалієвого транзистора Шотткі субмікронної технології ВІС | uk_UA |
| dc.title.alternative | Physical-topology modeling of silicon/gallium arsenide Schottky transistor of submicron technology LSI | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 21, № 2 | |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 3014-Текст статті-8213-1-10-20200701.pdf | 686.26 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.