1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2020
  6. Т. 21, № 4
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/9198
Назва: Розвиток іскрового плазмового спікання (ІПС) для отримання нанокристалічного термоелектричного матеріалу Bi0.5Sb1.5Te3 p-типу
Інші назви: Development of Spark Plasma Syntering (SPS) technology for preparation of nanocrystalline p-type thermoelctrics based on (BiSb)2Te3
Автори: Костюк, Оксана Богданівна
Дзундза, Богдан Степанович
Максимук, М.
Бублик, В.
Черняк, Л.
Дашевський, З. М.
Ключові слова: Bi0,5Sb1,5Te3
іскрове плазмове спікання (SPS)
термоелектричні властивості
Дата публікації: 2020
Видавництво: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Костюк О. Б. Розвиток іскрового плазмового спікання (ІПС) для отримання нанокристалічного термоелектричного матеріалу Bi0.5Sb1.5Te3 p-типу / О. Б. Костюк, Б. С. Дзундза, М. Максимук, В. Бублик, Л. Черняк, З. Дашевський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2020. - Т. 21. - № 4. - С. 628-634.
Короткий огляд (реферат): Телурид сурми вісмуту є найбільш часто використовуваним комерційним термоелектричним матеріалом для виробництва електроенергії та охолодження в діапазоні температур 200 - 400 К. Поліпшення експлуатаційних характеристик цих матеріалів доповнюється балансом оптимізації термоелектричних властивостей. Зменшення розміру зерен Bi0,5Sb1,5Te3 суттєво знижує теплопровідність за рахунок розсіювання фононів на границях зерен. У цій роботі показано досягнення іскрового плазмового спікання (ІПС) для отримання нанокристалічних термоелектриків р-типу на основі Bi0,5Sb1,5Te3 при різних температурах (240, 350, 400oC). Було представлено комплексне дослідження структурних та термоелектричних властивостей Bi0.5Sb1.5Te3. Отримано високе значення безрозмірної термоелектричної добротності ZT ~ 1 і навіть трохи більше в діапазоні температур 300 - 400 K для нанокристалічного Bi0,5Sb1,5Te3 p-типу провідності.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/9198
Розташовується у зібраннях:Т. 21, № 4

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
4412-Текст статті-10238-1-10-20201230.pdf1.15 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.