Електронні властивості орторомбічних кристалів InI та TlI з урахуванням квазічастинкових поправок та спін-орбітальної взаємодії

Abstract

Вивчаються електронні властивості кристалів InI й TlI орторомбічної структури з просторовою групою Cmcm. Розрахунки електроних властивостей виконані в базисі проекційно приєднаних хвиль за допомогою програми ABINIT. Розраховані повні й парціальні густини електронних станів. Електронні енергетичні спектри знайдені за допомогою обмінно-кореляційного функціонала GGA-PBE без і з урахуванням спін-орбітальної взаємодії. Виявлено, що ширина забороненої зони InI, отримана без спін-орбітальної взаємодії, менша за екпериментальне значення на 38%, і на 42% – з урахуванням останньої. Для кристала TlI відповідні значення дорівнюють 27% і 39%. Міжзонні щілини, знайдені з квазічастинкового рівняння в наближенні GW, виявляють добре зіставлення з експериментальними значеннями для обидвох кристалів.