DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/922| Назва: | Травлення монокристалів CdTe, ZnxCd1-xTe і CdxHg1-xTe водними розчинами HNO3– НІ – гліцерин |
| Інші назви: | Chemical Polishig of CdTe and Solid Solution ZnxCd1-xTe and Cd0,2Hg0,8Te by the HNO3 – НІ – Glycerin Acid Aqueous Solutions |
| Автори: | Гвоздієвський, Євген Євгенійович Денисюк, Роман Олександрович Томашик, Василь Миколайович Томашик, Зінаїда Федорівна |
| Ключові слова: | напівпровідник тверді розчини хімічне травлення хіміко-динамічне полірування |
| Дата публікації: | 2017 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Гвоздієвський Є. Є. Травлення монокристалів CdTe, ZnxCd1-xTe і CdxHg1-xTe водними розчинами HNO3– НІ – гліцерин / Є. Є. Гвоздієвський, Р. О. Денисюк, В. М. Томашик, З. Ф. Томашик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2017. - Т. 18. - №. - 1. - С. 117-121. |
| Короткий огляд (реферат): | Досліджено процеси хімічного розчинення монокристалів CdTe та твердих розчинів ZnxCd1-xTe(х = 0,04 та 0,1) і Cd0,2Hg0,8Te в водних розчинах HNO3 – НІ – гліцерин. Визначено залежності швидкості травлення вказаних матеріалів від концентрації окисника та органічного розчинника і кінетичні особливості процесу. Оптимізовано склади поліруючих травників і режими хіміко-динамічного полірування поверхні монокристалів досліджуваних напівпровідникових матеріалів. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/922 |
| Розташовується у зібраннях: | Т 18, № 1 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 2261-6415-1-PB.pdf | 211.08 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.