Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/925
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorНічкало, Степан Ігорович-
dc.contributor.authorШепіда, М. В.-
dc.contributor.authorЧекайло, Микола Володимирович-
dc.date.accessioned2019-11-20T09:06:20Z-
dc.date.available2019-11-20T09:06:20Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.citationНічкало С. І. Оптимальні умови осадження наноплівок золота на кремній методом гальванічного заміщення / С. І. Нічкало, М. В. Шепіда, М. В. Чекайло // Фізика і хімія твердого тіла. - 2019. - Т. 20. - № 3. - С. 234-238uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/925-
dc.description.abstractДосліджено умови формування наноплівок золота на кремнієвій (Si) підкладці методом гальванічного заміщення в диметилсульфоксиді (ДМСО) та їх подальше використання для створення наноструктур Si методом метал-каталітичного хімічного травлення (MACE). Встановлено, що середній розмір і кількість наночастинок Au зростає зі збільшенням концентрації іонів відновлюваного металу від 2 до 8 ммоль/л HAuCl4 в ДМСО, тоді як розподіл наночастинок Au за висотою залишається низьким для всіх концентрацій відновлюваного металу. Зміна температури процесу гальванічного осадження в межах від 40 до 70 °C приводить до зміни морфології нанесених наноплівок Au. Зокрема, за температури 40 °С плівка є пористою переважно гомогенною, тоді як за температури 50 °С – плівка шорсткіша. Подальше підвищення температури від 60 до 70 °C приводить до формування острівкової наноплівки Au. Встановлено, що незалежно від морфології нанесених наноплівок Au, наноструктури Si зберігають вертикальну орієнтацію відносно площини підкладки Si під час травлення методом MACE. Виявлено, що висота створених у такий спосіб наноструктур Si знаходиться в межах від 1,5 до 2,5 мкм, а середній діаметр – від 100 до 300 нм.uk_UA
dc.language.isoenuk_UA
dc.subjectгальванічне заміщенняuk_UA
dc.subjectнаночастинкиuk_UA
dc.subjectплівки золотаuk_UA
dc.subjectнаноструктури кремніюuk_UA
dc.subjectметал-каталітичне хімічне травленняuk_UA
dc.titleОптимальні умови осадження наноплівок золота на кремній методом гальванічного заміщенняuk_UA
dc.title.alternativeOptimal Conditions for the Deposition of Gold Nanofilms on a Silicon by Galvanic Replacement Methoduk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т.20, №3

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
3908-11725-1-PB.pdf2.94 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.