DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/985| Title: | Кінетичні ефекти, обумовлені флуктуаціями товщини квантового напівпровідникового дроту |
| Other Titles: | The Kinetic Effects, Caused by Thickness Fluctuations of Quantum Semiconductor Wire |
| Authors: | Рувінський, Марк Аунович Рувінський, Борис Маркович Костюк, Оксана Богданівна |
| Keywords: | квантовий напівпровідниковий дріт гауссові флуктуації товщини електропровідність теплопровідність |
| Issue Date: | 2016 |
| Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Citation: | Рувінський М. А. Кінетичні ефекти, обумовлені флуктуаціями товщини квантового напівпровідникового дроту / М. А. Рувінський, Б. М. Рувінський, О. Б. Костюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17. - № 1. - С. 7-10. |
| Abstract: | Теоретично визначено електропровідність, термоерс і теплопровідність квантового напівпровідникового дроту внаслідок гауссівських флуктуацій товщини дроту. Результати наведено для випадків невиродженої і виродженої статистики носіїв заряду. Розглянутий механізм релаксації носіїв заряду є суттєвим для достатньо тонкого і чистого дроту з напівпровідників типу А3В5 і А4В6 при низьких температурах. Визначено квантово-розмірні ефекти, характерні для квазіодновимірних систем. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/985 |
| Appears in Collections: | Т. 17, № 1 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 1093-2977-1-SM.pdf | 136.21 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.